IXFP12N65X2M-VB
IC
TO-220F
可供量大可议
IXFP12N65X2M-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO220F； N—Channel沟道； 600V； 12A； RDS(ON)=330(mΩ)@VGS=10V； VGS=±30V； Vth=3.5V； 采用SJ_Multi-EPI技术
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
2
货期
现货
IXFP12N65X2M-VB参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IXFP12N65X2M-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO220F； N—Channel沟道； 600V； 12A； RDS(ON)=330(mΩ)@VGS=10V； VGS=±30V； Vth=3.5V； 采用SJ_Multi-EPI技术
IXFP12N65X2M-VB特性
暂无产品特性。
IXFP12N65X2M-VB应用领域
暂无应用领域。