IXFN32N120P
IC
SOT-227B
可供量大可议
IXFN32N120P
特性：国际标准封装-miniBLOC， 带氮化铝隔离。 隔离电压2500V。 高电流处理能力。 快速本征二极管。 雪崩额定。 低RDS(on) HDMOST™工艺。 应用：高压开关模式和谐振模式电源。 高压脉冲功率应用
品牌
Littelfuse/IXYS
封装
SOT-227B
库存
4
货期
现货
IXFN32N120P参数
| 封装 | SOT-227B |
|---|---|
| 品牌 | Littelfuse/IXYS |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
IXFN32N120P概述
特性：国际标准封装-miniBLOC， 带氮化铝隔离。 隔离电压2500V。 高电流处理能力。 快速本征二极管。 雪崩额定。 低RDS(on) HDMOST™工艺。 应用：高压开关模式和谐振模式电源。 高压脉冲功率应用
IXFN32N120P特性
暂无产品特性。
IXFN32N120P应用领域
暂无应用领域。