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IXFK90N20Q-JSM
IC

TO-264

可供量大可议

IXFK90N20Q-JSM

N沟道 耐压:200V 电流:90A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):550W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):27mΩ@10V, 30A

品牌

JSMSEMI

封装

TO-264

库存

39

货期

现货

IXFK90N20Q-JSM参数

封装TO-264
品牌JSMSEMI(杰盛微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存39

IXFK90N20Q-JSM概述

N沟道 耐压:200V 电流:90A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):550W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):27mΩ@10V, 30A

IXFK90N20Q-JSM特性

暂无产品特性。

IXFK90N20Q-JSM应用领域

暂无应用领域。

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