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IXFH80N25X3-JSM
IC

TO-247

可供量大可议

IXFH80N25X3-JSM

N沟道 耐压:250V 电流:80A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):250V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):400W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):20mΩ@10V, 40A

品牌

JSMSEMI

封装

TO-247

库存

94

货期

现货

IXFH80N25X3-JSM参数

封装TO-247
品牌JSMSEMI(杰盛微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存94

IXFH80N25X3-JSM概述

N沟道 耐压:250V 电流:80A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):250V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):400W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):20mΩ@10V, 40A

IXFH80N25X3-JSM特性

暂无产品特性。

IXFH80N25X3-JSM应用领域

暂无应用领域。

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