IXFH34N65X3-HXY

本款N沟道场效应管具备650V的漏源击穿电压（VDSS）， 可稳定工作于较高电压环境， 适用于高压开关电路。 其连续漏极电流（ID）可达43A， 导通电阻（RDON）低至75mΩ， 有利于降低导通损耗， 提高系统整体效率。 该器件在高耐压与低导通损耗之间实现良好平衡， 适合用于开关电源、DC-DC变换器、逆变设备、高功率适配器及电力输送管理模块等应用， 满足对能效和热性能有要求的电力电子设计方案。