IXFH22N50P-VB
IC
TO-247
可供量大可议
IXFH22N50P-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO247； N—Channel沟道, 500V； 50A； RDS(ON)=80(mΩ)@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=3.8V； 采用SJ_Multi-EPI技术
品牌
VBsemi
封装
TO-247
库存
1
货期
现货
IXFH22N50P-VB参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IXFH22N50P-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO247； N—Channel沟道, 500V； 50A； RDS(ON)=80(mΩ)@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=3.8V； 采用SJ_Multi-EPI技术
IXFH22N50P-VB特性
暂无产品特性。
IXFH22N50P-VB应用领域
暂无应用领域。