IXFH16N90Q-VB
IC
TO-247
可供量大可议
IXFH16N90Q-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型场效应晶体管， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用多种电子领域和模块。 TO247； N—Channel沟道, 900V； 20A； RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-247
库存
20
货期
现货
IXFH16N90Q-VB参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
IXFH16N90Q-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型场效应晶体管， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用多种电子领域和模块。 TO247； N—Channel沟道, 900V； 20A； RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
IXFH16N90Q-VB特性
暂无产品特性。
IXFH16N90Q-VB应用领域
暂无应用领域。