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IXFH120N25X3
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TO-247

IXFH120N25X3

IXFH120N25X3

品牌

Littelfuse/IXYS

封装

TO-247

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现货

批次

—

IXFH120N25X3参数

封装TO-247
品牌Littelfuse/IXYS
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)250V
耗散功率(Pd)480W
栅极电荷量(Qg)122nC
反向传输电容(Crss)2pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号IXFH120N25X3
单位个
商品重量0.007562
分类场效应管(MOSFET)
库存4
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))4.5V
输入电容(Ciss)7.87nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)1.26nF
商品名称IXFH120N25X3
包装方式管装
商品类型场效应管(MOSFET)

IXFH120N25X3概述

WSF30P60是一款高性能沟槽P沟道MOSFET, 具有极高的单元密度, 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSF30P60符合RoHS标准和绿色产品要求, 100%保证具有抗雪崩能力(EAS), 并通过了全功能可靠性认证。

IXFH120N25X3特性

  • 国际标准封装
  • 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

IXFH120N25X3应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流-直流转换器
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

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