IXFH10N80P
IC
TO-247
可供量大可议
IXFH10N80P
特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 100%雪崩测试。 漏源击穿电压（BVDSS）：800V， 漏极电流（ID）：10A。 导通电阻（RDS(on)）：最大1.0Ω（VGS = 10V时）。 无与伦比的栅极电荷：典型值44nC
品牌
JSMSEMI
封装
TO-247
库存
48
货期
现货
IXFH10N80P参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
IXFH10N80P概述
特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 100%雪崩测试。 漏源击穿电压（BVDSS）：800V， 漏极电流（ID）：10A。 导通电阻（RDS(on)）：最大1.0Ω（VGS = 10V时）。 无与伦比的栅极电荷：典型值44nC
IXFH10N80P特性
暂无产品特性。
IXFH10N80P应用领域
暂无应用领域。