IXDN75N120
IC
SOT-227B
可供量大可议
IXDN75N120
高压IGBT， 具备低饱和电压、低开关损耗、方形RBSOA、高短路能力等特性， 采用NPT IGBT技术， MOS输入电压控制， 国际标准封装
品牌
Littelfuse/IXYS
封装
SOT-227B
库存
10
货期
现货
IXDN75N120参数
| 封装 | SOT-227B |
|---|---|
| 品牌 | Littelfuse/IXYS |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IXDN75N120概述
高压IGBT， 具备低饱和电压、低开关损耗、方形RBSOA、高短路能力等特性， 采用NPT IGBT技术， MOS输入电压控制， 国际标准封装
IXDN75N120特性
暂无产品特性。
IXDN75N120应用领域
暂无应用领域。