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IXBH9N160G
IC

TO-247-3

可供量大可议

IXBH9N160G

特性:高压封装。 取代高压达林顿管和串联MOSFET。 较低的有效导通电阻。 MOS栅极导通。 驱动简单。 与10V导通栅极电压的MOSFET兼容。 应用:反激式转换器。 直流斩波器

品牌

Littelfuse/IXYS

封装

TO-247-3

库存

50

货期

现货

IXBH9N160G参数

封装TO-247-3
品牌Littelfuse/IXYS
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存50

IXBH9N160G概述

特性:高压封装。 取代高压达林顿管和串联MOSFET。 较低的有效导通电阻。 MOS栅极导通。 驱动简单。 与10V导通栅极电压的MOSFET兼容。 应用:反激式转换器。 直流斩波器

IXBH9N160G特性

暂无产品特性。

IXBH9N160G应用领域

暂无应用领域。

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