ITF86130SK8T-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有18A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、5mΩ的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于减少功率损耗， 提升系统效率， 适用于中等功率的开关电源、电池供电设备及负载开关等应用场景。 器件在高频操作下仍能保持稳定的电气性能， 适合对体积和热管理有较高要求的电子系统。