ISZ75DP15LMATMA1
IC
PG-TSDSON-8(3.2x3.2)
可供量大可议
ISZ75DP15LMATMA1
特性：P沟道。 极低导通电阻：RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅引脚电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
PG-TSDSON-8(3.2x3.2)
库存
3
货期
现货
ISZ75DP15LMATMA1参数
| 封装 | PG-TSDSON-8(3.2x3.2) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
ISZ75DP15LMATMA1概述
特性：P沟道。 极低导通电阻：RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅引脚电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
ISZ75DP15LMATMA1特性
暂无产品特性。
ISZ75DP15LMATMA1应用领域
暂无应用领域。