ISZ056N03LF2SATMA1-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
ISZ056N03LF2SATMA1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及最大20V的栅源驱动电压（VGS）。 低导通电阻有助于降低导通损耗， 提升整体能效， 同时30V的耐压等级适配多种中低压应用场景。 该器件适用于开关电源、便携式储能设备、电机驱动及各类高效率功率转换系统， 能够在高频开关条件下保持良好的热稳定性和电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
59
货期
现货
ISZ056N03LF2SATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 59 |
ISZ056N03LF2SATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及最大20V的栅源驱动电压（VGS）。 低导通电阻有助于降低导通损耗， 提升整体能效， 同时30V的耐压等级适配多种中低压应用场景。 该器件适用于开关电源、便携式储能设备、电机驱动及各类高效率功率转换系统， 能够在高频开关条件下保持良好的热稳定性和电气性能。
ISZ056N03LF2SATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
ISZ056N03LF2SATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。