ISP25DP06LM
IC
SOT-223
可供量大可议
ISP25DP06LM
特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on) @ VDS-4.5V。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
SOT-223
库存
106
货期
现货
ISP25DP06LM参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 106 |
ISP25DP06LM概述
特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on) @ VDS-4.5V。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
ISP25DP06LM特性
暂无产品特性。
ISP25DP06LM应用领域
暂无应用领域。