ISP16DP10LMXTSA1
IC
SOT-223
可供量大可议
ISP16DP10LMXTSA1
特性：P- 沟道。 极低导通电阻 RDS(on) @ VDS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤
品牌
Infineon
封装
SOT-223
库存
334
货期
现货
ISP16DP10LMXTSA1参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 334 |
ISP16DP10LMXTSA1概述
特性：P- 沟道。 极低导通电阻 RDS(on) @ VDS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤
ISP16DP10LMXTSA1特性
暂无产品特性。
ISP16DP10LMXTSA1应用领域
暂无应用领域。