ISP14EP15LMXTSA1
IC
SOT-223
可供量大可议
ISP14EP15LMXTSA1
特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on) @ VDS +4.5V。 逻辑电平。 100%雪崩测试。 增强模式。 无铅引脚电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 完全符合JEDEC工业应用标准
品牌
Infineon
封装
SOT-223
库存
160
货期
现货
ISP14EP15LMXTSA1参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 160 |
ISP14EP15LMXTSA1概述
特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on) @ VDS +4.5V。 逻辑电平。 100%雪崩测试。 增强模式。 无铅引脚电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 完全符合JEDEC工业应用标准
ISP14EP15LMXTSA1特性
暂无产品特性。
ISP14EP15LMXTSA1应用领域
暂无应用领域。