ISL9R860P2-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
ISL9R860P2-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 反向重复峰值电压达650V, 正向压降典型值为1.38V, 具备较低的导通损耗。 其最大正向浪涌电流能力为88A, 适用于高频、高效率的电源转换系统。 得益于碳化硅材料特性, 器件在高频开关过程中表现出优异的动态性能和热稳定性, 适合用于对体积与能效有严苛要求的电力电子应用中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
21
货期
现货
ISL9R860P2-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 21 |
ISL9R860P2-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 反向重复峰值电压达650V, 正向压降典型值为1.38V, 具备较低的导通损耗。 其最大正向浪涌电流能力为88A, 适用于高频、高效率的电源转换系统。 得益于碳化硅材料特性, 器件在高频开关过程中表现出优异的动态性能和热稳定性, 适合用于对体积与能效有严苛要求的电力电子应用中。
ISL9R860P2-HXY特性
暂无产品特性。
ISL9R860P2-HXY应用领域
暂无应用领域。
