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ISL9R860P2-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

ISL9R860P2-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 反向重复峰值电压达650V, 正向压降典型值为1.38V, 具备较低的导通损耗。 其最大正向浪涌电流能力为88A, 适用于高频、高效率的电源转换系统。 得益于碳化硅材料特性, 器件在高频开关过程中表现出优异的动态性能和热稳定性, 适合用于对体积与能效有严苛要求的电力电子应用中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

21

货期

现货

ISL9R860P2-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存21

ISL9R860P2-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 反向重复峰值电压达650V, 正向压降典型值为1.38V, 具备较低的导通损耗。 其最大正向浪涌电流能力为88A, 适用于高频、高效率的电源转换系统。 得益于碳化硅材料特性, 器件在高频开关过程中表现出优异的动态性能和热稳定性, 适合用于对体积与能效有严苛要求的电力电子应用中。

ISL9R860P2-HXY特性

暂无产品特性。

ISL9R860P2-HXY应用领域

暂无应用领域。

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