ISL9R1560P2-F085-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
ISL9R1560P2-F085-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗, 提升了系统整体能效, 适合用于高密度电源转换及对体积与温升敏感的电力电子应用中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
21
货期
现货
ISL9R1560P2-F085-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 21 |
ISL9R1560P2-F085-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗, 提升了系统整体能效, 适合用于高密度电源转换及对体积与温升敏感的电力电子应用中。
ISL9R1560P2-F085-HXY特性
暂无产品特性。
ISL9R1560P2-F085-HXY应用领域
暂无应用领域。
