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ISL9R1560P2-F085-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

ISL9R1560P2-F085-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗, 提升了系统整体能效, 适合用于高密度电源转换及对体积与温升敏感的电力电子应用中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

21

货期

现货

ISL9R1560P2-F085-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存21

ISL9R1560P2-F085-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗, 提升了系统整体能效, 适合用于高密度电源转换及对体积与温升敏感的电力电子应用中。

ISL9R1560P2-F085-HXY特性

暂无产品特性。

ISL9R1560P2-F085-HXY应用领域

暂无应用领域。

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