ISL9N306AD3ST-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
ISL9N306AD3ST-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。 器件在高电流工作条件下表现出较低的导通损耗， 有助于提升系统整体效率。 适用于开关电源、电池供电设备、电机驱动及高密度功率转换等应用场合， 能够在高频开关操作中保持良好的热稳定性和电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
90
货期
现货
ISL9N306AD3ST-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
ISL9N306AD3ST-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。 器件在高电流工作条件下表现出较低的导通损耗， 有助于提升系统整体效率。 适用于开关电源、电池供电设备、电机驱动及高密度功率转换等应用场合， 能够在高频开关操作中保持良好的热稳定性和电气性能。
ISL9N306AD3ST-HXY特性
暂无产品特性。
ISL9N306AD3ST-HXY应用领域
暂无应用领域。