ISK057N04LM6ATSA1
IC
VSON-6
可供量大可议
ISK057N04LM6ATSA1
特性:N 沟道, 逻辑电平。 2x2 封装中最低的导通电阻 RDS(on)。 2x2 封装具有出色的热阻。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅, 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61248-2-21 标准无卤。 针对高性能和功率密度进行了优化
品牌
Infineon
封装
VSON-6
库存
1,488
货期
现货
ISK057N04LM6ATSA1参数
| 封装 | VSON-6 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1488 |
ISK057N04LM6ATSA1概述
特性:N 沟道, 逻辑电平。 2x2 封装中最低的导通电阻 RDS(on)。 2x2 封装具有出色的热阻。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅, 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61248-2-21 标准无卤。 针对高性能和功率密度进行了优化
ISK057N04LM6ATSA1特性
暂无产品特性。
ISK057N04LM6ATSA1应用领域
暂无应用领域。
