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ISK057N04LM6ATSA1
IC

VSON-6

可供量大可议

ISK057N04LM6ATSA1

特性:N 沟道, 逻辑电平。 2x2 封装中最低的导通电阻 RDS(on)。 2x2 封装具有出色的热阻。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅, 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61248-2-21 标准无卤。 针对高性能和功率密度进行了优化

品牌

Infineon

封装

VSON-6

库存

1,488

货期

现货

ISK057N04LM6ATSA1参数

封装VSON-6
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1488

ISK057N04LM6ATSA1概述

特性:N 沟道, 逻辑电平。 2x2 封装中最低的导通电阻 RDS(on)。 2x2 封装具有出色的热阻。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅, 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61248-2-21 标准无卤。 针对高性能和功率密度进行了优化

ISK057N04LM6ATSA1特性

暂无产品特性。

ISK057N04LM6ATSA1应用领域

暂无应用领域。

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