ISG0614N06NM5HATMA1
IC
PGVITFN-10
可供量大可议
ISG0614N06NM5HATMA1
特性：对称半桥。 针对低电压驱动和电池供电应用进行优化。 针对高性能开关电源进行优化。 N沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
PGVITFN-10
库存
88
货期
现货
ISG0614N06NM5HATMA1参数
| 封装 | PGVITFN-10 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 88 |
ISG0614N06NM5HATMA1概述
特性：对称半桥。 针对低电压驱动和电池供电应用进行优化。 针对高性能开关电源进行优化。 N沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
ISG0614N06NM5HATMA1特性
暂无产品特性。
ISG0614N06NM5HATMA1应用领域
暂无应用领域。