ISC800P06LMATMA1
IC
TDSON-8
可供量大可议
ISC800P06LMATMA1
特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on)， VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TDSON-8
库存
102
货期
现货
ISC800P06LMATMA1参数
| 封装 | TDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 102 |
ISC800P06LMATMA1概述
特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on)， VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
ISC800P06LMATMA1特性
暂无产品特性。
ISC800P06LMATMA1应用领域
暂无应用领域。