ISC080N10NM6ATMA1-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备75A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、7.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于在大电流应用中有效降低功率损耗， 提升系统效率。 器件适用于高频率开关电源、电机控制、电池管理系统及各类高效能电力电子设备。 在合理驱动条件下， 可实现快速开关响应与良好的热稳定性， 满足对紧凑布局和高可靠性有要求的电路设计需求。