ISC080N10NM6ATMA1
IC
TDSON-8FL
可供量大可议
ISC080N10NM6ATMA1
特性：N沟道， 正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 优异的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 针对高频开关和同步整流进行了优化。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准为MSL 1级分类
品牌
Infineon
封装
TDSON-8FL
库存
10
货期
现货
ISC080N10NM6ATMA1参数
| 封装 | TDSON-8FL |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
ISC080N10NM6ATMA1概述
特性：N沟道， 正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 优异的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 针对高频开关和同步整流进行了优化。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准为MSL 1级分类
ISC080N10NM6ATMA1特性
暂无产品特性。
ISC080N10NM6ATMA1应用领域
暂无应用领域。