ISC0805NLSATMA1-HXY

本N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有100V漏源耐压（VDSS）和75A持续漏极电流（ID）能力， 适用于中高功率电路设计。 导通电阻（RD(on)）仅为6.4mΩ， 有助于降低导通损耗， 提升系统效率。 器件可广泛应用于电源管理、开关变换器、负载控制及高性能电子设备中， 满足对能效、热稳定性和空间布局有要求的电路场景。 标准封装形式有利于简化电路板设计与量产实施， 是一款性能稳定的通用型功率MOSFET。