ISC0802NLSATMA1
IC
TDSON-8
可供量大可议
ISC0802NLSATMA1
特性：适用于高频开关。 针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道， 逻辑电平。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准， 无卤素。 根据JEDEC标准进行产品验证
品牌
Infineon
封装
TDSON-8
库存
462
货期
现货
ISC0802NLSATMA1参数
| 封装 | TDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 462 |
ISC0802NLSATMA1概述
特性：适用于高频开关。 针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道， 逻辑电平。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准， 无卤素。 根据JEDEC标准进行产品验证
ISC0802NLSATMA1特性
暂无产品特性。
ISC0802NLSATMA1应用领域
暂无应用领域。