ISC060N10NM6ATMA1-VB
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
ISC060N10NM6ATMA1-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 100V； 95A； RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~5V； 是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET， 适合于要求高效能和小型封装的应用， 特别适合现代电子设备和电力管理系统。
品牌
VBsemi
封装
DFN-8(5x6)
库存
10
货期
现货
ISC060N10NM6ATMA1-VB参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
ISC060N10NM6ATMA1-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 100V； 95A； RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~5V； 是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET， 适合于要求高效能和小型封装的应用， 特别适合现代电子设备和电力管理系统。
ISC060N10NM6ATMA1-VB特性
暂无产品特性。
ISC060N10NM6ATMA1-VB应用领域
暂无应用领域。