ISC045N03L5S-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现， 漏极电流ID可达80A， 漏源电压VDSS为30V， 适用于多种中高功率电源应用场景。 其导通电阻RDON仅为4.7mΩ， 有效降低导通损耗， 提升整体系统效率。 器件采用成熟封装技术， 具备良好的散热性能与稳定性， 适用于各类电源转换、负载开关及高效能电路设计中， 提供可靠的开关控制与能量传输支持。