ISC030N12NM6ATMA1
IC
TDSON-8
可供量大可议
ISC030N12NM6ATMA1
特性：N- 沟道， 正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷× RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低的反向恢复电荷 (Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。 针对高频开关和同步整流进行了优化。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤。 根据 J-STD-020 分类为 MSL 1
品牌
Infineon
封装
TDSON-8
库存
15
货期
现货
ISC030N12NM6ATMA1参数
| 封装 | TDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
ISC030N12NM6ATMA1概述
特性：N- 沟道， 正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷× RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低的反向恢复电荷 (Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。 针对高频开关和同步整流进行了优化。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤。 根据 J-STD-020 分类为 MSL 1
ISC030N12NM6ATMA1特性
暂无产品特性。
ISC030N12NM6ATMA1应用领域
暂无应用领域。