IS66WVH8M8BLL-100B1LI
IC
TFBGA-24(6x8)
可供量大可议
IS66WVH8M8BLL-100B1LI
IS66/67WVH8M8ALL/BLL是集成内存器件， 包含64Mbit伪静态随机存取存储器， 采用自刷新DRAM阵列， 按8M字×8位方式组织。 该器件支持HyperBus接口、极低信号数量（通过8个DQ引脚传输地址、命令和数据）、隐藏刷新操作以及汽车级温度工作范围， 专为移动和汽车应用而设计。 ISSI 64Mbit HyperRAMTM器件是一款高速CMOS自刷新动态随机存取存储器（DRAM）， 具备HyperBus接口
品牌
ISSI
封装
TFBGA-24(6x8)
库存
933
货期
现货
IS66WVH8M8BLL-100B1LI参数
| 封装 | TFBGA-24(6x8) |
|---|---|
| 品牌 | ISSI(北京矽成) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | PSRAM(伪静态) |
|---|---|
| 库存 | 933 |
IS66WVH8M8BLL-100B1LI概述
IS66/67WVH8M8ALL/BLL是集成内存器件， 包含64Mbit伪静态随机存取存储器， 采用自刷新DRAM阵列， 按8M字×8位方式组织。 该器件支持HyperBus接口、极低信号数量（通过8个DQ引脚传输地址、命令和数据）、隐藏刷新操作以及汽车级温度工作范围， 专为移动和汽车应用而设计。 ISSI 64Mbit HyperRAMTM器件是一款高速CMOS自刷新动态随机存取存储器（DRAM）， 具备HyperBus接口
IS66WVH8M8BLL-100B1LI特性
暂无产品特性。
IS66WVH8M8BLL-100B1LI应用领域
暂无应用领域。