IS66WVH16M8DBLL-100B1LI

是集成128Mbit伪静态随机存取存储器的存储设备， 采用自刷新DRAM阵列， 按16M字×8位组织。 该设备是两个64Mb管芯的双管芯堆叠。 支持HyperBus接口、极低信号数量（通过8个DQ引脚传输地址、命令和数据）、隐藏刷新操作以及汽车温度操作， 专为移动和汽车应用而设计。