IS66WVC4M16ECLL-7010BLI
IC
VFBGA-54(6x8)
可供量大可议
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI
CellularRAM产品是为低功耗、便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。 64Mb DRAM核心设备组织为4兆x 16位。 该设备是行业标准闪存控制接口的一种变体， 与其他低功耗SRAM或伪SRAM产品相比， 显著提高了读写带宽。 为了在突发闪存总线上无缝运行， CellularRAM产品采用了透明的自刷新机制。 隐藏刷新不需要系统内存控制器的额外支持， 并且对设备的读写性能没有显著影响。 两个用户可访问的控制寄存器定义设备操作
品牌
ISSI
封装
VFBGA-54(6x8)
库存
6
货期
现货
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI参数
| 封装 | VFBGA-54(6x8) |
|---|---|
| 品牌 | ISSI(北京矽成) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | PSRAM(伪静态) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI概述
CellularRAM产品是为低功耗、便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。 64Mb DRAM核心设备组织为4兆x 16位。 该设备是行业标准闪存控制接口的一种变体， 与其他低功耗SRAM或伪SRAM产品相比， 显著提高了读写带宽。 为了在突发闪存总线上无缝运行， CellularRAM产品采用了透明的自刷新机制。 隐藏刷新不需要系统内存控制器的额外支持， 并且对设备的读写性能没有显著影响。 两个用户可访问的控制寄存器定义设备操作
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI特性
暂无产品特性。
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI应用领域
暂无应用领域。