IS66WV51216EBLL-70TLI-TR

是高速8M位静态随机存取存储器， 组织为512K字×16位。 采用高性能CMOS技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合， 可生产出高性能、低功耗的器件。 当CS1#为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）时， 器件进入待机模式， 此时通过CMOS输入电平可降低功耗。 通过使用片选使能和输出使能输入， 可以轻松进行内存扩展。 低电平有效写使能（WE#）控制存储器的读写。 数据字节允许进行高字节（UB#）和低字节（LB#）访问。 采用JEDEC标准的48球微型BGA（6mm x 8mm）和44引脚TSOP（II型）封装。 也提供裸片销售。