IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR

高速、4,194,304位静态RAM， 组织为262,144字×16位。 采用高性能CMOS技术制造， 该高可靠性工艺与创新电路设计技术相结合， 产生高性能、低功耗的器件。 当CE为高电平（未选中）时， 器件进入待机模式， 此时功耗可通过CMOS输入电平降低。 通过片选使能和输出使能输入CE和OE， 可轻松进行内存扩展。 低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写。 数据字节允许上字节（UB）和下字节（LB）访问。 采用JEDEC标准44引脚TSOP II型和48引脚Mini BGA（6mm x 8mm）封装。