IS62WV6416FBLL-45TLI
IC
TSOPII-44
可供量大可议
IS62WV6416FBLL-45TLI
是高速的1M位静态随机存取存储器， 组织为64k字×16位。 采用高性能CMOS技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合， 可生产出高性能、低功耗的器件。 当CS1#为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1#为低电平、CS2为高电平且LB#和UB#均为高电平时， 器件进入待机模式， 此时使用CMOS输入电平可降低功耗
品牌
ISSI
封装
TSOPII-44
库存
4
货期
现货
IS62WV6416FBLL-45TLI参数
| 封装 | TSOPII-44 |
|---|---|
| 品牌 | ISSI(北京矽成) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
IS62WV6416FBLL-45TLI概述
是高速的1M位静态随机存取存储器， 组织为64k字×16位。 采用高性能CMOS技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合， 可生产出高性能、低功耗的器件。 当CS1#为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1#为低电平、CS2为高电平且LB#和UB#均为高电平时， 器件进入待机模式， 此时使用CMOS输入电平可降低功耗
IS62WV6416FBLL-45TLI特性
暂无产品特性。
IS62WV6416FBLL-45TLI应用领域
暂无应用领域。