IS62WV51216EBLL-45TLI
IC
TSOPII-44-10.2mm
可供量大可议
IS62WV51216EBLL-45TLI
IS62WV51216EALL/IS62WV51216EBLL 是高速 8M 位静态随机存取存储器（SRAM）， 组织形式为 512K 字×16 位。 它采用高性能 CMOS 技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合， 造就了高性能、低功耗的器件
品牌
ISSI
封装
TSOPII-44-10.2mm
库存
217
货期
现货
IS62WV51216EBLL-45TLI参数
| 封装 | TSOPII-44-10.2mm |
|---|---|
| 品牌 | ISSI(北京矽成) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
|---|---|
| 库存 | 217 |
IS62WV51216EBLL-45TLI概述
IS62WV51216EALL/IS62WV51216EBLL 是高速 8M 位静态随机存取存储器（SRAM）， 组织形式为 512K 字×16 位。 它采用高性能 CMOS 技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合， 造就了高性能、低功耗的器件
IS62WV51216EBLL-45TLI特性
暂无产品特性。
IS62WV51216EBLL-45TLI应用领域
暂无应用领域。