IS62WV25616BLL-55BLI

高速、低功耗的4M位SRAM， 由256K字x16位组成。 采用高性能CMOS技术制造， 这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合， 使器件具有高性能和低功耗的特点。 当CS1为高电平（未选中）或CS1为低电平且LB(overline)和UB(overline)均为高电平时， 器件进入待机模式， 此时采用CMOS输入电平可降低功耗。 通过芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。 低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写操作。 数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。 采用JEDEC标准44引脚TSOP（II型）和48引脚微型BGA（6mmx8mm）封装。