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IS62WV102416EBLL-45BLI-TR
IC

VFBGA-48(6x8)

可供量大可议

IS62WV102416EBLL-45BLI-TR

是低功耗、16M位静态随机存取存储器, 组织为1024K字×16位。 采用高性能CMOS技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 产生了高性能和低功耗的器件。 当CS1为高电平(未选中)或CS2为低电平(未选中)或CS1为低电平、CS2为高电平且LB和UB均为高电平时, 器件进入待机模式, 此时功耗可通过CMOS输入电平降低。 通过使用芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。 低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。 数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。 采用JEDEC标准48引脚BGA (6mm x 8mm) 封装。

品牌

ISSI

封装

VFBGA-48(6x8)

库存

25

货期

现货

IS62WV102416EBLL-45BLI-TR参数

封装VFBGA-48(6x8)
品牌ISSI(北京矽成)
MOQ / SPQ1 / 1
分类静态随机存取存储器(SRAM)
库存25

IS62WV102416EBLL-45BLI-TR概述

是低功耗、16M位静态随机存取存储器, 组织为1024K字×16位。 采用高性能CMOS技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 产生了高性能和低功耗的器件。 当CS1为高电平(未选中)或CS2为低电平(未选中)或CS1为低电平、CS2为高电平且LB和UB均为高电平时, 器件进入待机模式, 此时功耗可通过CMOS输入电平降低。 通过使用芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。 低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。 数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。 采用JEDEC标准48引脚BGA (6mm x 8mm) 封装。

IS62WV102416EBLL-45BLI-TR特性

暂无产品特性。

IS62WV102416EBLL-45BLI-TR应用领域

暂无应用领域。

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