IS62WV102416EBLL-45BLI-TR
IC
VFBGA-48(6x8)
可供量大可议
IS62WV102416EBLL-45BLI-TR
是低功耗、16M位静态随机存取存储器, 组织为1024K字×16位。 采用高性能CMOS技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 产生了高性能和低功耗的器件。 当CS1为高电平(未选中)或CS2为低电平(未选中)或CS1为低电平、CS2为高电平且LB和UB均为高电平时, 器件进入待机模式, 此时功耗可通过CMOS输入电平降低。 通过使用芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。 低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。 数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。 采用JEDEC标准48引脚BGA (6mm x 8mm) 封装。
品牌
ISSI
封装
VFBGA-48(6x8)
库存
25
货期
现货
IS62WV102416EBLL-45BLI-TR参数
| 封装 | VFBGA-48(6x8) |
|---|---|
| 品牌 | ISSI(北京矽成) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
IS62WV102416EBLL-45BLI-TR概述
是低功耗、16M位静态随机存取存储器, 组织为1024K字×16位。 采用高性能CMOS技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 产生了高性能和低功耗的器件。 当CS1为高电平(未选中)或CS2为低电平(未选中)或CS1为低电平、CS2为高电平且LB和UB均为高电平时, 器件进入待机模式, 此时功耗可通过CMOS输入电平降低。 通过使用芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。 低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。 数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。 采用JEDEC标准48引脚BGA (6mm x 8mm) 封装。
IS62WV102416EBLL-45BLI-TR特性
暂无产品特性。
IS62WV102416EBLL-45BLI-TR应用领域
暂无应用领域。
