IS62LV256AL-20TLI
IC
TSOPI-28-8.0mm
可供量大可议
IS62LV256AL-20TLI
是一款高速、低功耗的32,768字×8位静态RAM, 采用高性能CMOS技术制造。 这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合, 可实现最快15 ns的访问时间。 当CE为高电平(未选中)时, 设备进入待机模式, 在CMOS输入电平下功耗降至150 μW(典型值)。 通过使用低电平有效芯片使能(CE)可轻松进行内存扩展。 低电平有效写使能(WE)控制存储器的读写操作。 有JEDEC标准的28引脚SOJ、28引脚SOP和28引脚TSOP(I型)封装。
品牌
ISSI
封装
TSOPI-28-8.0mm
库存
8
货期
现货
IS62LV256AL-20TLI参数
| 封装 | TSOPI-28-8.0mm |
|---|---|
| 品牌 | ISSI(北京矽成) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
IS62LV256AL-20TLI概述
是一款高速、低功耗的32,768字×8位静态RAM, 采用高性能CMOS技术制造。 这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合, 可实现最快15 ns的访问时间。 当CE为高电平(未选中)时, 设备进入待机模式, 在CMOS输入电平下功耗降至150 μW(典型值)。 通过使用低电平有效芯片使能(CE)可轻松进行内存扩展。 低电平有效写使能(WE)控制存储器的读写操作。 有JEDEC标准的28引脚SOJ、28引脚SOP和28引脚TSOP(I型)封装。
IS62LV256AL-20TLI特性
暂无产品特性。
IS62LV256AL-20TLI应用领域
暂无应用领域。
