IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR
IC
TSOP-44-10.2mm
可供量大可议
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR
IS61WV51216EDALL和IS61/64WV51216EDBLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM）， 组织形式为512K字×16位。 它们采用高性能CMOS技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合， 造就了高性能、低功耗的器件
品牌
ISSI
封装
TSOP-44-10.2mm
库存
21
货期
现货
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR参数
| 封装 | TSOP-44-10.2mm |
|---|---|
| 品牌 | ISSI(北京矽成) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
|---|---|
| 库存 | 21 |
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR概述
IS61WV51216EDALL和IS61/64WV51216EDBLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM）， 组织形式为512K字×16位。 它们采用高性能CMOS技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合， 造就了高性能、低功耗的器件
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR特性
暂无产品特性。
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR应用领域
暂无应用领域。