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IS61WV25616BLS-25TLI
IC

TSOPII-44-10.2mm

可供量大可议

IS61WV25616BLS-25TLI

是高速、4,194,304 位静态随机存取存储器, 组织为 262,144 字 x 16 位。 采用高性能 CMOS 技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 可生产出高性能、低功耗的器件。 当 CE 为高电平(未选中)时, 器件进入待机模式, 此时通过 CMOS 输入电平可降低功耗。 通过使用片选和输出使能输入 CE 和 OE, 可轻松实现内存扩展。 低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。 数据字节允许高字节 (UB) 和低字节 (LB) 访问。 采用 JEDEC 标准 44 引脚 TSOP II 型和 48 引脚 Mini BGA(6mm x 8mm)封装。

品牌

ISSI

封装

TSOPII-44-10.2mm

库存

10

货期

现货

IS61WV25616BLS-25TLI参数

封装TSOPII-44-10.2mm
品牌ISSI(北京矽成)
MOQ / SPQ1 / 1
分类静态随机存取存储器(SRAM)
库存10

IS61WV25616BLS-25TLI概述

是高速、4,194,304 位静态随机存取存储器, 组织为 262,144 字 x 16 位。 采用高性能 CMOS 技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 可生产出高性能、低功耗的器件。 当 CE 为高电平(未选中)时, 器件进入待机模式, 此时通过 CMOS 输入电平可降低功耗。 通过使用片选和输出使能输入 CE 和 OE, 可轻松实现内存扩展。 低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。 数据字节允许高字节 (UB) 和低字节 (LB) 访问。 采用 JEDEC 标准 44 引脚 TSOP II 型和 48 引脚 Mini BGA(6mm x 8mm)封装。

IS61WV25616BLS-25TLI特性

暂无产品特性。

IS61WV25616BLS-25TLI应用领域

暂无应用领域。

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