IS61WV25616BLS-25TLI
IC
TSOPII-44-10.2mm
可供量大可议
IS61WV25616BLS-25TLI
是高速、4,194,304 位静态随机存取存储器, 组织为 262,144 字 x 16 位。 采用高性能 CMOS 技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 可生产出高性能、低功耗的器件。 当 CE 为高电平(未选中)时, 器件进入待机模式, 此时通过 CMOS 输入电平可降低功耗。 通过使用片选和输出使能输入 CE 和 OE, 可轻松实现内存扩展。 低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。 数据字节允许高字节 (UB) 和低字节 (LB) 访问。 采用 JEDEC 标准 44 引脚 TSOP II 型和 48 引脚 Mini BGA(6mm x 8mm)封装。
品牌
ISSI
封装
TSOPII-44-10.2mm
库存
10
货期
现货
IS61WV25616BLS-25TLI参数
| 封装 | TSOPII-44-10.2mm |
|---|---|
| 品牌 | ISSI(北京矽成) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IS61WV25616BLS-25TLI概述
是高速、4,194,304 位静态随机存取存储器, 组织为 262,144 字 x 16 位。 采用高性能 CMOS 技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 可生产出高性能、低功耗的器件。 当 CE 为高电平(未选中)时, 器件进入待机模式, 此时通过 CMOS 输入电平可降低功耗。 通过使用片选和输出使能输入 CE 和 OE, 可轻松实现内存扩展。 低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。 数据字节允许高字节 (UB) 和低字节 (LB) 访问。 采用 JEDEC 标准 44 引脚 TSOP II 型和 48 引脚 Mini BGA(6mm x 8mm)封装。
IS61WV25616BLS-25TLI特性
暂无产品特性。
IS61WV25616BLS-25TLI应用领域
暂无应用领域。
