IS61WV102416FBLL-8BLI
IC
TFBGA-48(6x8)
可供量大可议
IS61WV102416FBLL-8BLI
是高速、16M 位静态随机存取存储器, 组织为 1024K 字 x 16 位。 采用高性能 CMOS 技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 可生产出高性能、低功耗的器件。 当 CS# 为高电平(未选中)时, 器件进入待机模式, 此时可通过 CMOS 输入电平降低功耗。 通过使用片选和输出使能输入可轻松进行内存扩展。 低电平有效的写使能 (WE#) 控制存储器的读写。 数据字节允许访问上字节 (UB#) 和下字节 (LB#)。 器件采用 JEDEC 标准 48 引脚 TSOP(I 型)、48 引脚微型 BGA(6mm x 8mm)和 54 引脚 TSOP(II 型)封装。
品牌
ISSI
封装
TFBGA-48(6x8)
库存
1
货期
现货
IS61WV102416FBLL-8BLI参数
| 封装 | TFBGA-48(6x8) |
|---|---|
| 品牌 | ISSI(北京矽成) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IS61WV102416FBLL-8BLI概述
是高速、16M 位静态随机存取存储器, 组织为 1024K 字 x 16 位。 采用高性能 CMOS 技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 可生产出高性能、低功耗的器件。 当 CS# 为高电平(未选中)时, 器件进入待机模式, 此时可通过 CMOS 输入电平降低功耗。 通过使用片选和输出使能输入可轻松进行内存扩展。 低电平有效的写使能 (WE#) 控制存储器的读写。 数据字节允许访问上字节 (UB#) 和下字节 (LB#)。 器件采用 JEDEC 标准 48 引脚 TSOP(I 型)、48 引脚微型 BGA(6mm x 8mm)和 54 引脚 TSOP(II 型)封装。
IS61WV102416FBLL-8BLI特性
暂无产品特性。
IS61WV102416FBLL-8BLI应用领域
暂无应用领域。
