IS61WV102416BLL-10MLI

高速16M位静态随机存取存储器， 组织为1024K字x16位。 采用高性能CMOS技术制造， 此高可靠性工艺结合创新电路设计技术， 可实现高性能和低功耗。 当CE为高电平时（未选中）， 设备进入待机模式， 可通过CMOS输入电平降低功耗。 通过使用片选和输出使能输入（CE和OE）可轻松进行内存扩展。 低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写操作。 数据字节支持高字节（UB）和低字节（LB）访问。 器件封装采用JEDEC标准的48引脚TSOP I型和48引脚迷你BGA（9mm x 11mm）。