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IS61LV12816L-10TLI
IC

TSOPII-44-10.2mm

可供量大可议

IS61LV12816L-10TLI

IS61LV12816L是一款高速2,097,152位静态随机存取存储器(SRAM), 其组织形式为131,072字×16位。 它采用高性能CMOS技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 可实现低功耗且最快达8 ns的存取时间

品牌

ISSI

封装

TSOPII-44-10.2mm

库存

66

货期

现货

IS61LV12816L-10TLI参数

封装TSOPII-44-10.2mm
品牌ISSI(北京矽成)
MOQ / SPQ1 / 1
分类静态随机存取存储器(SRAM)
库存66

IS61LV12816L-10TLI概述

IS61LV12816L是一款高速2,097,152位静态随机存取存储器(SRAM), 其组织形式为131,072字×16位。 它采用高性能CMOS技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 可实现低功耗且最快达8 ns的存取时间

IS61LV12816L-10TLI特性

暂无产品特性。

IS61LV12816L-10TLI应用领域

暂无应用领域。

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