IS61C5128AS-25QLI-TR
IC
SOP-32-11.3mm
可供量大可议
IS61C5128AS-25QLI-TR
是高速的4,194,304位静态随机存取存储器, 组织为524,288字×8位。 采用高性能CMOS技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 可实现低功耗下最快12 ns的访问时间。 当CE为高电平(未选中)时, 器件进入待机模式, 此时功耗可通过CMOS输入电平降低。 通过使用片选和输出使能输入CE和OE, 可轻松进行内存扩展。 低电平有效的写使能(WE)控制存储器的读写。 一个数据字节允许高字节(UB)和低字节(LB)访问。 采用JEDEC标准的36引脚SOJ(400密耳)、32引脚TSOP-I、32引脚SOP、44引脚TSOP-II和32引脚TSOP-II封装。
品牌
ISSI
封装
SOP-32-11.3mm
库存
10
货期
现货
IS61C5128AS-25QLI-TR参数
| 封装 | SOP-32-11.3mm |
|---|---|
| 品牌 | ISSI(北京矽成) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IS61C5128AS-25QLI-TR概述
是高速的4,194,304位静态随机存取存储器, 组织为524,288字×8位。 采用高性能CMOS技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 可实现低功耗下最快12 ns的访问时间。 当CE为高电平(未选中)时, 器件进入待机模式, 此时功耗可通过CMOS输入电平降低。 通过使用片选和输出使能输入CE和OE, 可轻松进行内存扩展。 低电平有效的写使能(WE)控制存储器的读写。 一个数据字节允许高字节(UB)和低字节(LB)访问。 采用JEDEC标准的36引脚SOJ(400密耳)、32引脚TSOP-I、32引脚SOP、44引脚TSOP-II和32引脚TSOP-II封装。
IS61C5128AS-25QLI-TR特性
暂无产品特性。
IS61C5128AS-25QLI-TR应用领域
暂无应用领域。
