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IS61C5128AL-10TLI
IC

TSOPII-44

可供量大可议

IS61C5128AL-10TLI

是高速的4,194,304位静态随机存取存储器, 组织为524,288字×8位。 采用高性能CMOS技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 可实现低功耗下最快12 ns的访问时间。 当CE为高电平(未选中)时, 器件进入待机模式, 此时功耗可通过CMOS输入电平降低。 通过使用片选和输出使能输入CE和OE, 可轻松进行内存扩展。 低电平有效的写使能(WE)控制存储器的读写。 一个数据字节允许高字节(UB)和低字节(LB)访问。 采用JEDEC标准的36引脚SOJ(400密耳)、32引脚TSOP-I、32引脚SOP、44引脚TSOP-II和32引脚TSOP-II封装。

品牌

ISSI

封装

TSOPII-44

库存

10

货期

现货

IS61C5128AL-10TLI参数

封装TSOPII-44
品牌ISSI(北京矽成)
MOQ / SPQ1 / 1
分类静态随机存取存储器(SRAM)
库存10

IS61C5128AL-10TLI概述

是高速的4,194,304位静态随机存取存储器, 组织为524,288字×8位。 采用高性能CMOS技术制造。 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 可实现低功耗下最快12 ns的访问时间。 当CE为高电平(未选中)时, 器件进入待机模式, 此时功耗可通过CMOS输入电平降低。 通过使用片选和输出使能输入CE和OE, 可轻松进行内存扩展。 低电平有效的写使能(WE)控制存储器的读写。 一个数据字节允许高字节(UB)和低字节(LB)访问。 采用JEDEC标准的36引脚SOJ(400密耳)、32引脚TSOP-I、32引脚SOP、44引脚TSOP-II和32引脚TSOP-II封装。

IS61C5128AL-10TLI特性

暂无产品特性。

IS61C5128AL-10TLI应用领域

暂无应用领域。

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