IS45S16160J-6TLA1
IC
TSOPII-54-10.2mm
可供量大可议
IS45S16160J-6TLA1
256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器， 设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统， 包含268,435,456位。 内部配置为具有同步接口的四组DRAM。 每个67,108,864位的存储体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。 该256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。 所有信号在时钟信号CLK的上升沿进行寄存。 所有输入和输出均与LVTTL兼容
品牌
ISSI
封装
TSOPII-54-10.2mm
库存
4
货期
现货
IS45S16160J-6TLA1参数
| 封装 | TSOPII-54-10.2mm |
|---|---|
| 品牌 | ISSI(北京矽成) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
IS45S16160J-6TLA1概述
256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器， 设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统， 包含268,435,456位。 内部配置为具有同步接口的四组DRAM。 每个67,108,864位的存储体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。 该256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。 所有信号在时钟信号CLK的上升沿进行寄存。 所有输入和输出均与LVTTL兼容
IS45S16160J-6TLA1特性
暂无产品特性。
IS45S16160J-6TLA1应用领域
暂无应用领域。