IS43TR16128C-15HBL
IC
TWBGA-96(9x13)
可供量大可议
IS43TR16128C-15HBL
特性：标准电压：VDD 和 VDDO = 1.5V ± 0.075V； 低电压（L）：VDD 和 VDDO = 1.35V + 0.1V， -0.067V。 向后兼容 1.5V。 高速数据传输速率， 系统频率高达 933 MHz。 8 个内部存储体用于并发操作。 8n 位预取架构。 可编程 CAS 延迟
品牌
ISSI
封装
TWBGA-96(9x13)
库存
1
货期
现货
IS43TR16128C-15HBL参数
| 封装 | TWBGA-96(9x13) |
|---|---|
| 品牌 | ISSI(北京矽成) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IS43TR16128C-15HBL概述
特性：标准电压：VDD 和 VDDO = 1.5V ± 0.075V； 低电压（L）：VDD 和 VDDO = 1.35V + 0.1V， -0.067V。 向后兼容 1.5V。 高速数据传输速率， 系统频率高达 933 MHz。 8 个内部存储体用于并发操作。 8n 位预取架构。 可编程 CAS 延迟
IS43TR16128C-15HBL特性
暂无产品特性。
IS43TR16128C-15HBL应用领域
暂无应用领域。