IS42VM32160E-75BLI

这些是移动536,870,912位CMOS同步DRAM， 组织为4个存储体， 每个存储体有4,194,304个32位字。 这些产品提供完全同步操作， 并以时钟的正沿为参考。 所有输入和输出都与时钟输入的上升沿同步。 数据路径在内部采用流水线设计以实现高带宽。 所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。